Анотація:
МЕТА РОБОТИ - оптимізація технологічних умов осадження легованих плівок ZnO та його твердих розчинів з СdO. Дослідження впливу технології на структурну досконалість, рівень фотолюмінесценції і фотовідгуку конденсатів для успішного вирощування фоточутливих та фотовипромінюючих матеріалів в ультрафіолетовій та синьо-зеленій області спектру відповідно.
ОБ'ЄКТ ДОСЛІДЖЕННЯ - тонкі плівки ZnO, співлеговані азотом і алюмінієм, тверді розчини Zn1-хСdхО, а також створені на їх основі фототранзистори та гетероструктури.
МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ: осадження тонких плівок методом високочастотного розпилення сплавних металевих мішеней, рентгенівська дифракція, атомно-силова мікроскопія, енерго-дисперсний рентгенівський аналіз, електронна скануюча мікроскопія, раманівське комбінаційне розсіювання; вимірювання електричних, фотоелектричних, оптичних і люмінесцентних характеристик.
Представлені результати досліджень фізичних процесів та механізмів, які визначають ефективність фотоелектричного перетворення в легованих плівках оксиду цинку та твердих розчинів на його основі. Встановлено, що застосування розробленого авторами пошарового осадження плівок з використанням високочастотного магнетронного розпилення сплавної мішені дозволило виростити високотекстуровані структурно досконалі плівки ZnО та Zn1-хСdхО, як на аморфних так і на монокристалічних підкладках.
Вперше проведено легування азотом плівок ZnО та комплексно досліджено вплив акцепторної домішки азоту на їх кристалічну структуру, морфологію поверхні, оптичні властивості, поверхневі електронні стани. Показано, що введення азоту в кристалічну гратку оксиду цинку приводить до суттєвого збільшення фоточутливості та швидкодії фоторезисторів на його основі. Розроблено фототранзисторні структури Nі/ZnО:N/р-Sі, в яких реалізовано механізм внутрішнього підсилення струму і досягнуто значну фоточутливість на рівні 210А/Вт при λ = 390нм і швидкодію з часовою сталою 100 нс.
Вперше виявлена можливість керування мікроструктурою, вмістом кадмію, дефектною підсистемою, динамікою люмінесценції та шириною забороненої зони Zn1-хСdхО шляхом зміни параметрів осадження.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: ОКСИД ЦИНКУ, ЛЕГУВАННЯ АЗОТОМ, КАДМІЄМ, МАГНЕТРОННЕ ОСАДЖЕННЯ, ТЕКСТУРОВАНІ ПЛІВКИ,
ФОТОЧУТЛИВІСТЬ, ФОТОДЕТЕКТОР.
Опис:
СКОРОЧЕНИЙ ЗМІСТ ВИСНОВКІВ РЕЦЕЗЕНТІВ.
Тема виконана в повному обсязі на високому науково-технічному рівні. Одержано великий обсяг експериментальних технологічних і фізичних результатів, що становіть базу для подальшого застосування розроблених матеріалів в оптоелектроніці. Акцентовано, що рівень досягнутих результатів дає підстави рекомендувати продовження досліджень по цьому напрямку в рамках нової теми.
ПРОПОЗИЦІЇ ПРО ПОДАЛЬШЕ ВИКОРИСТАННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ РОБОТИ.
Одержані результати науково-дослідної роботи можуть бути використані при розробці ефективних плівкових фотодетекторів ультрафіолетового діапазону спектру і джерел синьо-зеленого випромінювання.