Анотація:
МЕТА РОБОТИ - вдосконалення технології одержання шаруватих кристалів як детекторних матеріалів; розробка нових фотоелектричних пристроїв на їх основі, здатних експлуатуватись в умовах : високоенергетичних випромінювань; дослідження процесів утворення дефектів під дією різного виду високоенергетичних випромінювань. ОБ'ЄКТИ ДОСЛІДЖЕННЯ - шаруваті кристали АзВ6 та А4В7, напівпровідникові гомо- і гетероструктури на їх основі.
Були одержані кристали GаSе, ІnSе, РbI2 із відтворюваними і стабільними характеристиками та однорідним розподілом домішок. На їх базі були розроблені фотоелектричні перетворювачі широкого спектрального діапазону. Було проведено технологічні експерименти по визначенню оптимальних умов формування потенціального бар'єра в структурах на основі шаруватих напівпровідників методами прямого оптичного контакту, термічного оброблення на повітрі та парах сірки. Здійснено опромінення фотоперетворювачів різними типами виппромінювань: нейтронами, електронами і гамма-променями. Зроблено порівняльний аналіз результатів впливу опромінення на їх характеристики. Проведено тестування сенсора високоенергетичних випромінювань.КЛЮЧОВІ СЛОВА : СПОЛУКИ А3В6, А4В7, ГОМО-І ГЕТЕРОСТРУКТУРИ ,ТЕРМІЧНЕ ОКИСЛЕННЯ, РАДІАЦІЙНА СТІЙКІСТЬ, НЕЙТРОННЕ ЕЛЕКТРОННЕ І ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ.
Опис:
СКОРОЧЕНИЙ ЗМІСТ ВИСНОВКІВ РЕЦЕЗЕНТІВ.
Вдосконалено технологію синтезу та вирощування шаруватих напівпровідників GaSe, InSe, PbI2, проведено їx комплексні дослідження; отримано нові фундаментальні наукові результати щодо впливу нейтронного, електронного та гамма-випромінювань на вакансійну i домішкову підсистеми, параметри граток i структурну досконалість шаруватих кристалів, електричні та фотоелектричні характеристики фотоперетворювачів на їx основі. ПРОПОЗИЦІЇ ПРО ПОДАЛЬШЕ ВИКОРИСТАННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ РОБОТИ.
На основi отриманих результатів продовжити вивчення можливості використання фотоперетворювачів на основі шаруватих напівпровідників в умовах високого рівня радіації.
