Анотація:
МЕТА РОБОТИ - вивчення особливостей синтезу нанопорошків з нестійких прекурсорів (оксалати, пероксиди), і їх наступного колоїдного формування у вигляді тонких шарів. Вивчення закономірностей формування однорідних тонких колоїдних плівок на основі нанопорошків ВаТіОз методами електрофоретичного осадження, трафаретного друку, струмневого друку і плівкового лиття для наступного виготовлення багатошарових конденсаторів.
ОБ’ЄКТ ДОСЛІДЖЕННЯ - нанопорошки титанату барію дисперсністю 20-450 нм, синтезовані оксалатним й пероксидним методами. Суспензії титанату барію концентрацією 0,5-20 мас.%, пасти, а також електрофоретичні покриття сформовані на електродах різної природи (Ni, сталь, титан), плівки, процеси синтезу і колоїдного формування нанопорошків.
МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ - кристалічна структура вихідних порошків ВаТіОз визначалася рентгенофазовим аналізом. Розмір частинок ВаТіОз визначали методами лазерної гранулометрії, трансмісійної електронної мікроскопії (ТЕМ), адсорбційної спектроскопії (БЕТ + БДХ). Вміст адсорбційної оболонки поверхнево-активної речовини визначали методами елементного аналізу. Морфологію і розмір частинок ВаТіОз в плівках визначали сканувальною мікроскопією (СЕМ). Шорсткість, топологічну поверхню плівок, визначали на оптичному 3D - профілометрі, атомно-силової мікроскопії. Реологічні властивості суспензій і паст вивчали за допомогою прецизійного реометру.КЛЮЧОВІ СЛОВА: НАНОЧАСТИНКИ BaTiO, ¬ПОВЕРХНЕВА МОДИФІКАЦІЯ,СУСПЕНЗІЯ, ПОКРИТТЯ, ПАР,ТРАФЕРЕТНИЙ ДРУК, СТРУМЕНЕВИЙ ДРУК.
Опис:
СКОРОЧЕНИЙ ЗМІСТ ВИСНОВКІВ РЕЦЕНЗЕНТІВ.
В роботі вперше показано, що управління конкуренцією швидкостей зародження і зростання нової фази дозволяє отримувати нанопорошки ВаТіОз, Ваі1-хСахТіОз, Ва1-xCaxTi1-yZry)О2 частинками розмірами 10 - 30 нм з керованими сегнетоелектричними властивостями. Суттєвим в роботі є глибоке дослідження реологічних властивостей паст і чорнил: для процесу трафаретного друку та одержання тонких еластичних шарів, найбільш перспективними є аморфно-кристалічні пасти, які послідовно проходять «псевдопластично-реопексний - псевдопластичний - псевдопластично-тиксотропний» і «псевдопластичний - псевдопластично-тиксотропний» структурні стани під час друку; для процесу струменевого друку структурний перехід ПКС2—ПКС1 супроводжується зміною режиму течії з ньютонівсько-дилатантного на дилатантно-тиксотропний, що свідчить про перехід структурного стану системи з монодисперсного до агрегованого. Встановлено, що тонкошарові покриття сформовані в процесі самоорганізації частинок сегнетоелектрика, модифікованих органічними поверхнево активними речовинами характеризуються шорсткістю ≤ 20 нм і щільністю упаковки елементів структури 70-80 % від теоретичного значення. ПРОПОЗИЦІЇ ПРО ПОДАЛЬШЕ ВИКОРИСТАННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ РОБОТИ.
Результати проведених досліджень можуть бути використані при розробці технології формування багатошарових конденсаторів.
