Звіт про науково-дослідну роботу: „ Особливості електронної будови і фізико-хімічних властивостей нанорозмірних та кристалічних нітридних, силіцидних, оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз – перспективних матеріалів нелінійної оптики та мікроелектроніки”

Abstract

ОБ’ЄКТИ ДОСЛІДЖЕННЯ – нанорозмірні матеріали, карбід, нітрид, оксид, халькогенід, галогенід. МЕТА РОБОТИ – дослідження особливостей електронної структури та міжатомної взаємодії низки нітридних, оксидних, силіцидних, халькогенідних і галогенідних фаз для вдосконалення фізико-хімічних основ їх синтезу. МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ – рентгенівська емісійна спектроскопія, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, першопринципні розрахунки. Експериментальними і теоретичними методами досліджена електронна структура і оптичні властивості низки нітридних, оксидних, силіцидних, халькогенідних і галогенідних фаз. Виконані в роботі “першопринципні” зонні DFT-розрахунки вказують на те, що TlPb2X5 i Tl3PbX5 (X = Cl, Br, I) сполуки - непрямозонні напівпровідники, основний внесок у валентну зону котрих (переважно у її верхню та центральну частини) здійснюють валентні Хр-стани, в той час як дно та нижня частина валентної зони формуються переважно за рахунок внесків Pb6s- і Tl6s-станів. Результати “першопринципних” DFT-розрахунків бромідів КPb2Br5 і RbPb2Br5 дозволяють стверджувати, що внесок у валентну зону електронних станів атомів калію і рубідію незначний у порівнянні з внеском Br4p- (верхня і центральна частини) та Pb6s- (дно зони) станів. Розширення С1s-спектрів в бік більших енергій зв’язку та зміщення низькоенергетичних контурів Si2p-та О1s-ліній в бік менших енергій є наслідком перенесення Ср-валентних електронів до атомів кремнію та кисню. КЛЮЧОВІ СЛОВА: НАНОРОЗМІРНІ МАТЕРІАЛИ, ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА, ГАЛОГЕНІД, ХАЛЬКОГЕНІД, НІТРИД, ОКСИД.