Анотація:
ОБ’ЄКТ ДОСЛІДЖЕННЯ – нанокомпозитні матеріали на основі А3В6, А4В6, вуглецю і твердих електролітів.
МЕТА РОБОТИ – одержання нанокомпозитних матеріалів для накопичувачів і перетворювачів електричної енергії з характеристиками, що кращі за існуючі аналоги.
Методи дослідження – рентгенівський аналіз, атомно-силова мікроскопія, електричні та оптичні вимірювання, теоретичне моделювання. На основі гексагональних шаруватих кристалів A3B6, нанорозмірних включень кубічних кристалів вузькозонних напівпровідникових сполук A4B6, наноструктурованого вуглецю і твердих електролітів отримані нанокомпозитні матеріали, придатні для використання у фотоперетворювачах і накопичувачах електричного заряду. Досліджено їх хімічний склад, морфологію, електричні та оптичні властивості. Приведені приклади практичного використання отриманих матеріалів (бар’єри Шоткі, фотоконденсатор, фотодетектор на основі β-In2Se3). Прогнозні припущення щодо розвитку об’єкта дослідження – пошук оптимальної технології виробництва нанокомпозитних матеріалів та виготовлення електронних пристроїв на їх основі.
КЛЮЧОВІ СЛОВА: ШАРУВАТІ КРИСТАЛИ, НАНОКОМПОЗИТНІ МАТЕРІАЛИ, ПЛІВКИ, ТВЕРДІ ЕЛЕКТРОЛІТИ, СЕЛЕНІД ІНДІЮ, ГРАФІТ, БАР’ЄР ШОТКІ.
Опис:
СКОРОЧЕНИЙ ЗМІСТ ВИСНОВКІВ РЕЦЕНЗЕНТІВ.
Виконання роботи базується на великому обсязі проведених технологічних процесів різними технологічними методами і широкому спектрі дослідницьких методик. Використовуючи ці технологічні методи були сформовані і досліджені наноструктури різної розмірності з матеріалів різної кристалічної структури і типів хімічного зв’язку (металів, напівпровідників, вуглецю, діелектриків) на Ван-дер-Ваальсових поверхнях шаруватих кристалів. Оригінальні результати досліджень морфологічних досліджень, структурних особливостей і хімічного складу вищеназваних нанокомпозитних матеріалів, сформованих на атомарно чистих, окислених і нанопористих поверхнях шаруватих кристалів були отримані з використанням сучасних методів досліджень. Встановлена можливість створення ефективних оптичних випромінювачів і фотоприймачів (Ван-дер-Ваальсових гетероструктур) на основі 2D матеріалів, отриманих шляхом механічного відлущування (шарів кристалів GaSe, InSe, графену), досліджено механізми випромінювальної рекомбінації збуджених світлом носіїв в 2D шарах InSe і час життя екситонів в цьому матеріалі. Отримані результати опубліковані у високо-рейтингових журналах та представлені на престижних міжнародних конференція і представляють собою певну сходинку у розвитку сучасної матеріалознавчої науки в області вирощування нанокомпозитних матеріалів та наноструктур.
ПРОПОЗИЦІЇ ПРО ПОДАЛЬШЕ ВИКОРИСТАННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ РОБОТИ.
На основі отриманих результатів продовжити експериментальні і теоретичні дослідження нанокомпозитних матеріалів на основі шаруватих кристалів А3В6, вузькозонних напівпровідників А4В6, наноструктурованого вуглецю і твердих електролітів MeNO3, з метою покращення їх характеристик та виготовлення електронних пристроїв на їх основі.
