dc.contributor.author |
Керівник роботи: Хижун Олег Юліанович, д.ф.м.н., (Email: Khyzhun@ipms.kiev.ua) |
|
dc.date.accessioned |
2020-11-13T10:49:03Z |
|
dc.date.available |
2020-11-13T10:49:03Z |
|
dc.date.issued |
2019 |
|
dc.identifier.govdoc |
0117U002203 |
|
dc.identifier.uri |
http://library.ipms.kiev.ua/handle/123/378 |
|
dc.description |
СКОРОЧЕНИЙ ЗМІСТ ВИСНОВКІВ РЕЦЕНЗЕНТІВ.
Потрійні та почетверені кристалічні матеріали розглядаються наразі дослідниками в якості найперспективніших матеріалів для використання в детекторах гамма-променів, іон-селективних електродах, датчиках температур, пристроях для медичної візуалізації, частотних модуляторах тощо. Тому дослідження особливостей електронної будови та структурних характеристик кристалічних оксидних, халькогенідних і галогенідних матеріалів є безумовно актуальним завданням.
Авторами роботи встановлено, що поверхня кристалу CuHgSnSe4 чутлива до обробки іонами Ar" (3 кеВ). Встановлено, що основний внесок в валентну зону CupHgSnSe4 роблять Se4р стани (в основному в верхній і центральній частині), в той час як Sn 5s та Hg 6s переважають в нижній частині, а Hg 5d формують дно валентної зони. Зона провідності сформована переважно незайнятими Sn5s-станами з незначним внеском незайнятих Se 4р-станів. Показано, то Se 4р-стани гібридизуються з Си 4р та Cu 3d станами в верхній частині, з Cu 4s,4p,34 та Sn Sp-cтанами в нижній частині валентної зони. Встановлено, що такий вид гібридизації свідчить про значну ковалентну складову хімічного зв’язку CupHgSnSe4 на додачу до іонної. DFT розрахунки CuHgSnS4 показали, що основний внесок в валентну зону вносять S 3р стани (в основному в центральну та верхню частини), в той час як нижня частина сформована Hg 6s та Sn 5s станами, а Hg 5d стани переважають біля дна валентної зони. Дані DFT розрахунків дозволили авторам встановити, що почетверені сполуки CuHgSnSe4, Cu,HgSnS4 — прямозонні напівпровідники. Отримані результати дозволили зробити висновок про те, що дані почетверені селеніди можуть бути застосовані в оптоелектроніці.
Авторами показано, що монокристал Ag2HgSnSe4 чутливий до опромінення іонами Ar+, а саме зумовлює помітну модифікацію верхніх шарів, зменшуючи вміст атомів Hg B шарах. В роботі виявлено, що основний внесок в стелю та верхню частину валентної зони роблять Se 4р-стани, в той час як дно і центральна частина валентної зони сформовані переважно Hg 5d та Ag 4d-станами.
Дані виконаних в роботі теоретичних розрахунків добре узгоджуються з експериментально отриманими результатами.
Заплановані завдання авторами роботи виконані повністю, робота є завершеним дослідженням, проведеним на високому методичному рівні, а наведені в звіті результати стануть у нагоді при прогнозуванні властивостей нових функціональних матеріалів.
ПРОПОЗИЦІЇ ПРО ПОДАЛЬШЕ ВИКОРИСТАННЯ РЕЗУЛЬТАТІВ РОБОТИ.
Роботи можуть бути використані для розробки рекомендацій щодо науково обгрунтованого керування властивостями кристалічних матеріалів з прогнозування та поліпшенням їх характеристик. |
uk_UA |
dc.description.abstract |
ОБ’ЄКТИ ДОСЛІДЖЕННЯ – нанорозмірні матеріали, оксиди, халькогеніди, галогеніди.
МЕТА РОБОТИ – дослідження особливостей електронної структури, міжатомної взаємодії та оптичних характеристик низки оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз для вдосконалення фізико-хімічних основ їх синтезу.
МЕТОДИ ДОСЛІДЖЕННЯ – рентгенівська емісійна спектроскопія, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, першопринципні розрахунки.
Експериментальними і теоретичними методами досліджена електронна структура і оптичні властивості низки оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз.
Відповідно до виконаних в роботі “першопринципних” зонних DFT-розрахунків гібридизація електронних рівнів свідчить про значну частину ковалентного типу хімічного зв’язку в сполуках А2HgSnB4 (A=Ag, Cu, B=Se, S) поряд із іонним зв’язком. Результати “першопринципних” DFT-розрахунків свідчать, що Br4p стани є основними у валентній зоні Tl4HgBr6, в той час як Tl6s і Hg6s стани роблять істотний внесок в нижній частині валентної зони, а Tl6s стани вносять значний вклад у верхній частині валентної зони Tl4HgBr6Ar+ іонне бомбардування поверхні монокристалів Tl4HgI6 та Tl10Hg3Cl16 істотно не змінює розподіл електронних станів в межах валентної зони вказаних сполук. КЛЮЧОВІ СЛОВА: НАНОРОЗМІРНІ МАТЕРІАЛИ, ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА, ГАЛОГЕНІД, ХАЛЬКОГЕНІД, ОКСИД. |
uk_UA |
dc.language.iso |
uk |
uk_UA |
dc.publisher |
ІПМ НАНУ |
uk_UA |
dc.relation.ispartofseries |
Протокол N;тема III-11-17 |
|
dc.subject |
НАНОРОЗМІРНІ МАТЕРІАЛИ |
uk_UA |
dc.subject |
ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА |
uk_UA |
dc.subject |
ГАЛОГЕНІД |
uk_UA |
dc.subject |
ХАЛЬКОГЕНІД |
uk_UA |
dc.subject |
ОКСИД |
uk_UA |
dc.title |
Звіт про науково-дослідну роботу: „ Вивчення електронної структури та фізико-хімічних властивостей потрійних та почетверених оксидних, халькогенідних і галогенідних фаз” |
uk_UA |
dc.type |
Technical Report |
uk_UA |